중국 경쟁업체에 삼성전자의 반도체 핵심 기술을 넘긴 일당 5명이 1심에서 최소 징역 10개월에 집행유예 2년, 최대 징역 7년에 벌금 2억원을 선고받았다. 중앙포토
중국 경쟁사에 삼성전자와 그 협력사의 반도체 국가핵심기술을 넘겨 국내 반도체 업계에 수조 원의 손해를 끼친 삼성전자 전직 부장 김모(57)씨가 1심에서 징역 7년과 벌금 2억원을 선고받고 법정구속됐다. 단일 기술 유출 사건으로는 역대 최대 형량이다. 서울중앙지법 형사합의25부(부장판사 지귀연)는 19일 산업기술보호법 및 부정경쟁방지법 위반 등으로 기소된 김씨 등 5명에 대한 1심 선고 공판을 열었다. 김씨와 함께 법정구속된 반도체 증착 장비업체 A사 전직 직원 방모(51)씨와 김모(45)씨에겐 각각 징역 2년 6개월, 징역 1년 6개월이 선고됐다. 나머지 공범들에겐 징역형 집행유예와 사회봉사가 선고됐다.
재판부는 이들이 A사를 포함한 피해 회사 3곳의 기술 자료를 몰래 빼돌려 자신들이 설립한 중국 반도체 회사에서 ALD(원자층 증착) 방식의 증착 공정이 가능한 퍼니스(열처리) 장비를 설계·제작한 혐의 대부분을 유죄로 판단했다. 특히 김씨는 2016년 삼성전자에서 중국의 D램 생산업체 창신메모리(CXMT)로 이직할 당시 삼성전자의 18나노 D램 반도체 공정 정보 등 국가핵심기술을 유출한 혐의와 2022년 중국 자본의 투자를 받아 중국에 반도체 장비업체 ‘신카이’를 설립, 각 공정 분야 전문가를 모아 각자 회사에서 핵심 기술을 유출하도록 지시한 혐의 등이 인정됐다.
다만 재판부는 A사가 유출 피해를 본 ALD 장비 관련 영업비밀이 산업기술보호법상 산업기술로 보기에는 무리가 있고, 이중 핵심 설계 기술이 유출돼 사용됐다는 자료나 도면 등의 증거가 확인되지 않는 점 등은 무죄로 판단했다.
서울 서초동 서울중앙지법. 연합뉴스
재판부는 “김씨는 국가핵심기술에 해당하는 삼성전자의 18나노 D램 공정 정보를 부정하게 취득해서 이를 공개·누설·사용하기까지 이르렀다”며 “이는 관련 분야의 건전한 경쟁과 거래 질서를 심각하게 저해하고, 특히 피해 회사들의 막대한 시간과 비용을 헛되게 할 뿐만 아니라 대한민국의 국가 산업 경쟁력에 큰 악영향을 줄 수 있는 중대범죄”라고 지적했다. 이어 “특히 삼성전자가 18나노 D램 제품 개발 후 양산에 성공하기까지 든 비용, 중국 경쟁업체가 결국 양산 성공에 이른 점 등을 감안했을 때 피해액은 어마어마한 액수로 쉽게 예상된다”고 말했다. 반도체 업계와 검찰은 삼성전자 피해액을 수조 원대로 추산하고 있다.
김씨가 선고받은 징역 7년은 국내 기술 유출 범죄 사상 최장 형량이다. 이전까진 삼성전자 자회사 ‘세메스’의 세정 장비 기술을 중국에 유출해 지난해 징역 5년이 확정된 남모씨가 최장이었다. 다만 남씨는 또 다른 기술 유출 사건으로 징역 5년이 추가돼 10년간 복역 중이다. 대법원 양형위원회는 지난해 3월 국가핵심기술의 국외 유출 범죄 양형 기준을 최대 징역 18년으로 늘리는 등 기술 유출 범죄 엄벌 기조를 이어가고 있다.