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삼성전자(005930)가 차세대 모바일 메모리로 꼽히는 저전력광폭입출력(LPW·Low Power Wide I/O) D램을 3년 뒤 내놓는다. 저지연광폭입출력(LLW)으로도 불리는 LPW D램은 고성능·저전력에 특화돼 ‘모바일 HBM’으로 주목 받고 있다. 삼성전자는 온디바이스 인공지능(AI)을 위한 차세대 LPW D램으로 모바일 메모리 시장 1위 입지를 강화하겠다는 구상이다.

송재혁 삼성전자 DS부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장(사장)이 17일(현지 시간) 미 샌프란시스코에서 열린 ISSCC 2025 기조연설에서 LPW D램 개발 계획을 발표하고 있다. 윤민혁 기자

송재혁 삼성전자 DS부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장은 17일(현지 시간) 미 샌프란시스코에서 열린 국제반도체학회 ISSCC 2025 기조연설에서 “온디바이스 AI에 최적화한 LPW D램이 적용된 첫 모바일 제품이 2028년 출시될 것”이라고 밝혔다. 삼성전자가 LPW·LLW D램의 구체적인 출시 시기를 공개한 것은 이번이 처음이다.

LPW는 LLW 또는 ‘커스텀 메모리’로도 불린다. 차세대 메모리로 부상하면서 관련 규격 제정이 진행되는 상황으로 업계에서 통용되는 명칭이 다양하다. 다만 명칭과 상관 없이 입출력 통로를 늘리고 개별 통로의 속도를 낮춰 성능과 전력 소모량을 동시에 잡는다는 목적은 같다. 여기에 전기 신호의 통로를 곡선에서 직선으로 전환하는 버티컬 와이어 본딩(VWB) 패키징 기술도 적용한다.

삼성전자는 LPW D램의 목표 성능도 높였다. LPW D램은 현재의 최신 모바일 메모리인 LPDDR5X 대비 입출력 속도가 166% 개선돼 초당 200GB(기가바이트)를 넘어서고 전력 소모는 54% 줄어 비트당 1.9피코줄(pj)에 불과할 전망이다. 삼성전자는 지난해 9월 대만에서 열린 ‘세미콘 타이완’ 행사에서 LPW D램 성능이 LPDDR5X 대비 133% 높다고 밝혔다. 반년이 채 되지 않아 목표치를 끌어올린 셈이다.

이날 송 사장은 구체적인 LPW D램 탑재 대상 기기를 언급하지 않았으나 3년 후라는 시점을 감안할 때 2028년 선보일 갤럭시 S28 등이 유력한 후보로 꼽힌다. 통상 기기 제작과 부품 설계가 제품 출시 3~4년 전 시작되는 만큼 탑재 여부에 대한 논의가 이뤄지고 있을 것으로 관측된다. 저전력에 방점을 둔 만큼 스마트폰 외 다양한 온디바이스 AI 기기에 쓰일 가능성도 점쳐진다. 송 사장은 “전통적인 접근법으로는 성능과 전력 소모를 동시에 잡는 궁극적 해법을 찾기 힘들다”며 “입출력 단자 증가와 버티컬 와이어 본딩 적용으로 모바일 AI에 의미 있는 진전을 이끌겠다”고 강조했다.

송재혁 삼성전자 DS부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장(사장)이 17일(현지 시간) 미 샌프란시스코에서 열린 ISSCC 2025에서 기조연설하고 있다. 윤민혁 기자

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실리콘밸리=윤민혁 특파원([email protected])