지난달 31일 서울 서초구 삼성전자 서초사옥의 모습. 연합뉴스

삼성전자의 반도체 핵심 기술을 중국 경쟁사에 유출한 혐의로 재판에 넘겨진 삼성전자 전 직원이 1심에서 징역 7년을 선고받고 법정구속됐다. 단일 기술 유출 사건에 대한 1심 판결 중 역대 최대 형량이다.

서울중앙지법 형사합의25부(부장 지귀연)는 19일 산업기술보호법 위반 등 혐의를 받는 삼성전자 전 부장 김모(57)씨에게 징역 7년과 벌금 2억 원을 선고하고 법정구속했다. 김씨와 함께 법정구속된 반도체 증착 장비업체 A사 전 직원 방모(51)씨와 김모(45)씨에겐 각각 징역 2년 6개월, 징역 1년 6개월이 선고됐다. 나머지 공범 2명에겐 징역형 집행유예와 사회봉사가 선고됐다.

재판부는 이들이 A사를 포함한 피해 회사 3곳의 기술 자료를 빼돌려 자신들이 설립한 중국 반도체 회사에서 원자층증착(ALD) 방식의 증착 공정이 가능한 열처리 장비를 설계·제작한 혐의 대부분을 유죄로 판단했다. 특히 삼성전자 전 부장 김씨는 2016년 삼성전자에서 중국 기업인 창신메모리테크놀로지(CXMT)로 이직할 당시 삼성전자의 18나노D램 반도체 공정 정보를 유출한 혐의도 유죄로 인정됐다.

재판부는 며 라고 지적했다.

이어 삼성전자가 18나노D램 제품 개발 후 양산에 성공하기까지 투입한 비용과, CXMT가 부정하게 취득한 삼성전자 정보를 이용해 기술 장벽을 뛰어넘은 점을 고려하면 "삼성전자가 입은 피해액은 어마어마한 액수에 이를 것으로 쉽게 예상된다"고 말했다.

김씨가 이날 선고받은 징역 7년은 국내 기술 유출 범죄 사상 최대 형량이다. 이전까진 삼성전자 자회사 '세메스'의 세정 장비 기술을 중국에 유출해 지난해 징역 5년이 확정된 피고인의 형량이 가장 높았다. 기술 유출 범죄에 대한 '솜방망이 처벌' 비판 여론이 높아지자 대법원 양형위원회는 지난해 국가핵심기술의 국외 유출 범죄는 최대 징역 18년까지 선고할 수 있도록 양형 기준을 신설했다.

한국일보

장수현 기자 ([email protected])