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국가 핵심기술에 해당하는 반도체 공정 정보 등을 중국 회사에 유출한 혐의를 받는 전직 삼성전자 부장이 1심에서 징역 7년을 선고받고 법정 구속됐다. 기술 유출 범죄에 대한 1심 판결 중에 역대 최고 형량이다.

삼성전자 기흥 화성 반도체 연구소.

19일 서울중앙지법 형사합의25부(재판장 지귀연)는 산업기술보호법 위반·부정경쟁방지법 위반 등 혐의를 받는 김모씨에게 징역 7년을 선고하고 법정 구속했다.

이날 재판부는 “국가 핵심기술에 해당하는 삼성전자의 18나노 D램 공정 정보를 부정하게 취득해서 이를 공개, 누설, 사용하는데까지 이르렀다는 공소사실이 상당 부분 유죄로 인정된다”고 밝혔다.

이어 “이런 범행은 관련 분야의 건전한 경쟁과 거래질서 심각하게 저해하고 대한민국 국가 산업 경쟁력에 악영향을 끼치는 중대범죄이기 때문에 손해가 가볍지 않다”고 했다.

그러면서 “특히나 삼성전자가 18나노 D램 제품 개발과 양산에 성공할 때까지 들인 비용 감안할 때 삼성전자가 입은 피해 규모는 어마어마한 액수에 이를 거라고 쉽게 예상이 된다”고 했다.

김씨는 삼성전자의 18나노 D램 반도체 공정 정보를 무단 유출해 중국 반도체 제조업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 제품 개발에 사용하게 한 혐의를 받고 있다. CXMT는 중국 유일의 D램 생산업체다. 검찰은 CXMT가 김씨를 통해 부정하게 취득한 삼성전자 정보를 이용해 기술 장벽을 뛰어넘은 것으로 판단했다.

검찰은 김씨가 2016년 CXMT로 이직하면서 반도체 핵심 정보를 유출하고 수백억원대 금품을 수수한 것으로 의심하고 있다. 또 높은 연봉을 제시하면서 삼성전자와 관계사의 인력 20여명을 빼간 것으로 파악했다.

조선비즈

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