[서울경제]

조 바이든 미국 행정부가 인공지능(AI) 분야에서 중국을 견제하기 위해 첨단 반도체 설계 기술을 추가로 제한하는 방안을 검토하고 있다. 해당 기술은 반도체 초미세 공정의 일종인 게이트 올 어라운드(GAA)로, 삼성전자가 지난 2022년 3nm(나노미터) 반도체 공정에 처음 적용한 방식이다.

11일(현지시간) 블룸버그통신은 익명의 소식통을 인용해 미국 정부가 GAA로 알려진 최첨단 칩 설계 기술의 중국 접근을 차단하는 방안을 심의 중이라고 전했다. 소식통은 “미국의 목표는 중국이 AI 모델을 구축하고 운영하는데 필요한 컴퓨팅 시스템을 조립하기 더 어렵게 만들고, (GAA) 기술이 상용화되기 전에 이를 차단하는 것”이라고 밝혔다.

GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널(Channel) 4개면을 게이트(Gate)가 둘러싸는 형태로 기존 핀펫(FinFET) 공정 대비 전력 효율성이 높고, 반도체 크기를 더 소형화 할 수 있는 기술이다. 엔비디아와 인텔 등은 현재 TSMC, 삼성전자와 함께 내년부터 GAA 설계 반도체의 대량 생산을 준비 중이다.

수출 통제를 감독하는 미국 상무부 산업안보국은 최근 기술 자문 위원회에 GAA 제한 규정 초안을 보냈다고 소식통들은 전했다. 기술자문위는 업계 전문가로 구성돼 있는데, 규제 프로세스의 마지막 단계인 특정 기술 매개변수에 대한 조언을 제공한다.

업계 관계자들은 그러나 상무부의 규제 초안이 지나치게 광범위하다는 우려를 제기했다고 블룸버그는 설명했다. 블룸버그는 “이번 조치가 중국의 자체 GAA 반도체 개발 능력을 제한할 것인지, 더 나아가 해외 기업들이 중국 업체에 반도체 제품을 판매하는 것을 차단할 것인지는 확실하지 않다”고 전했다. 이 문제에 정통한 소식통은 “GAA 반도체 수출을 전면 차단하는 것이 아니라 이를 만드는 기술을 제한하는데 미국 정부가 초점을 맞추고 있다”고 밝혔다.

아울러 SK하이닉스와 마이크론 등이 생산하는 고대역폭 메모리(HBM)의 대중 수출을 제한하는 방안도 초기 단계에서 논의되고 있는 것으로 전해졌다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결하여 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 것으로 ‘AI용 메모리’로 불린다. AI 생태계를 구축하는 데 있어서 필요한 모든 반도체 기술 요소들을 미국 정부가 들여다보고 있는 것이다.

바이든 행정부는 이미 최첨단 반도체 분야에서 다수의 대중 수출통제를 시행하고 있다. 지나 러몬도 미 상무장관은 "AI 기술이 중국의 군사력을 강화할 수 있다"며 “미국이 필요한만큼 추가 조치를 취할 것”이라고 밝힌 바 있다.

서울경제

워싱턴=윤홍우 특파원([email protected])