삼성전자 서초사옥. 연합뉴스
삼성전자가 미국 반도체업체 엔비디아에 고대역폭 메모리(HBM) 테스트를 납품하기 위한 테스트를 아직 통과하지 못했다고 로이터통신이 24일(현지시각) 단독 보도했다.
로이터는 이날 익명의 소식통 발언을 인용해 삼성전자 고대역폭 메모리의 발열과 전력 소비 등이 문제가 됐다면서 이렇게 보도했다. 삼성전자는 로이터에 “고대역폭 메모리는 ‘고객사의 필요에 맞는 최적화 과정이 필요하다’면서 고객사와 긴밀히 협력해 제품 최적화를 진행 중”이라고 밝혔다. 엔비디아는 입장을 내놓지 않았다고 로이터는 덧붙였다.
소식통에 따르면 삼성전자는 지난해부터 ‘5세대 고대역폭메모리’(HBM3E)에 대한 엔비디아 테스트를 통과하기 위해 노력했으나 지난달 테스트에 실패했다는 결과를 받았다고 한다. 로이터는 “이 문제를 쉽게 해결할 수 있는지는 명확지 않다”며 “엔비디아의 요구 사항을 충족하지 못하면서 업계에서는 우려가 커지고, 투자자들 사이에서는 삼성전자가 경쟁사인 에스케이(SK)하이닉스보다 뒤처질 수 있다는 우려가 커지고 있다”는 소식통 발언을 전했다.
고대역폭 메모리는 2013년 처음 생산됐으며, 칩을 수직으로 쌓아 공간을 절약하고 전력 소비를 줄이는 방식이다. 생성형 인공지능 시장이 확대되면서 막대한 양의 데이터를 처리하기 위해 수요가 급증했다. 경쟁사들은 지난 3월께 엔비디아에 5세대 고대역폭메모리 제품을 공급하기 시작했지만, 삼성전자는 엔비디아에서 4세대(HBM3)와 5세대 샘플 검증을 통과하지 못한 상태였다.
앞서 지난 21일 삼성전자가 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 수장을 전영현 전 미래사업기획단장으로 깜짝 발탁한 것을 두고 기존 경계현 사장에 대한 ‘문책성 인사’가 아니냐는 뒷말이 나온 바 있다.