권재순 SK하이닉스 부사장 FT 인터뷰 통해 밝혀
SK하이닉스 5세대 고대역폭메모리(HBM3E)의 생산 수율(완성품 중 양품 비율)이 80%에 육박한 것으로 전해졌다.
21일(현지시각) 권재순 SK하이닉스 수율 담당 임원(부사장)은 파이낸셜타임스(FT) 인터뷰를 통해 “HBM3E 칩 양산에 필요한 시간을 50% 단축했다”며 “해당 칩의 경우 목표 수율인 80%에 거의 도달했다”고 밝혔다.
그러면서 그는 “올해 우리의 목표는 8단 HBM3E 생산에 주력하는 것”이라며 “인공지능(AI) 시대에서 앞서가기 위해서는 수율을 높이는 것이 더욱 중요해지고 있다”고 말했다.
여러 개의 D램을 수직으로 적층하는 HBM 구조상 일반 D램과 비교할 때 공정 난도가 높다. 이 같은 이유로 HBM 제조기업은 수율 안정화에 어려움을 겪어왔다.
그동안 업계에서 추정했던 SK하이닉스의 HBM3E는 60~70% 수준이었다. 하지만, SK하이닉스는 이번 인터뷰를 통해 HBM3E 수율이 80%에 달한다는 것을 공식화했다.
SK하이닉스는 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 대량 양산해 현재 엔비디아 등 고객사에게 공급하고 있다. 내년까지 물량 공급 계약도 마친 상태다. SK하이닉스는 HBM3E 8단에 이어 12단 제품을 오는 3분기 양산한다는 계획이다.
SK하이닉스의 5세대 고대역폭메모리 'HBM3E'./SK하이닉스 제공
SK하이닉스 5세대 고대역폭메모리(HBM3E)의 생산 수율(완성품 중 양품 비율)이 80%에 육박한 것으로 전해졌다.
21일(현지시각) 권재순 SK하이닉스 수율 담당 임원(부사장)은 파이낸셜타임스(FT) 인터뷰를 통해 “HBM3E 칩 양산에 필요한 시간을 50% 단축했다”며 “해당 칩의 경우 목표 수율인 80%에 거의 도달했다”고 밝혔다.
그러면서 그는 “올해 우리의 목표는 8단 HBM3E 생산에 주력하는 것”이라며 “인공지능(AI) 시대에서 앞서가기 위해서는 수율을 높이는 것이 더욱 중요해지고 있다”고 말했다.
여러 개의 D램을 수직으로 적층하는 HBM 구조상 일반 D램과 비교할 때 공정 난도가 높다. 이 같은 이유로 HBM 제조기업은 수율 안정화에 어려움을 겪어왔다.
그동안 업계에서 추정했던 SK하이닉스의 HBM3E는 60~70% 수준이었다. 하지만, SK하이닉스는 이번 인터뷰를 통해 HBM3E 수율이 80%에 달한다는 것을 공식화했다.
SK하이닉스는 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 대량 양산해 현재 엔비디아 등 고객사에게 공급하고 있다. 내년까지 물량 공급 계약도 마친 상태다. SK하이닉스는 HBM3E 8단에 이어 12단 제품을 오는 3분기 양산한다는 계획이다.