“AI 특화 초고속, 고용량, 저전력 메모리 수요 폭발적 증가”
올해 HBM 최대 격전지 HBM3E 12단 제품 조기 양산
“어드밴스드 MR-MUF 기술로 HBM 16단 제품까지 개발”
곽노정 SK하이닉스 사장이 오는 3분기부터 5세대 (고대역폭메모리HBM) 12단 제품을 양산한다는 계획을 밝히며 인공지능(AI) 메모리 시장에서 리더십 수성에 나섰다. 지난달 30일 삼성전자가 해당 제품으로 SK하이닉스를 따라잡겠다는 포부를 밝힌 지 이틀 만에 응수하며 시장 패권을 놓치지 않겠다는 의지를 드러냈다.
SK하이닉스는 2일 경기도 이천 본사에서 ‘AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 한 내외신 기자간담회를 열고, AI 메모리 기술력 및 시장 현황, 청주·용인·미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 밝혔다. 현재 SK하이닉스는 AI 인프라 구축에 핵심적인 HBM 시장에서 세계 1위 점유율을 차지하고 있다.
곽 사장은 “현재 AI는 데이터센터 중심이지만, 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 온디바이스(On-Device AI)로 빠르게 확산될 전망”이라며 “이에 따라 AI에 특화된 ‘초고속, 고용량, 저전력’ 메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것”이라고 설명했다. 이어 “SK하이닉스는 HBM, TSV 기반 고용량 D램, 고성능 eSSD 등 각 제품별 업계 최고의 기술 리더십을 확보했다”고 강조했다.
특히 올해 HBM 시장 최대 격전지로 꼽히는 5세대 HBM(HBM3E) 12단 제품을 오는 3분기 양산한다는 계획을 전했다. 그는 “HBM 기술 측면에서 보면, 당사는 시장 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고, 3분기 양산 가능하도록 준비 중”이라며 “현재 당사 HBM은 생산 측면에서 보면 올해 이미 솔드아웃(Sold-out, 완판)인데, 내년 역시 거의 솔드아웃됐다”고 강조했다.
김주선 SK하이닉스 AI인프라 담당 사장은 AI 반도체 광풍과 함께 산업 구조에 급격한 패러다임 전환이 이뤄지고 있다며 HBM뿐만 아니라 고용량 D램을 비롯한 차세대 제품 개발 현황을 전했다. 그는 “D램에서는 HBM3E와 256GB 이상의 초고용량 모듈을 양산하고 있으며, 세계 최고 속도의 LPDDR5T도 상용화했다”며 “낸드에서도 업계 유일의 60TB 이상 쿼드레벨셀(QLC) 기반 SSD를 공급하는 등 세계 최고의 AI 메모리 공급사의 지위를 유지하고 있다”고 강조했다.
김 사장은 “HBM4와 4E, LPDDR6, 300TB SSD뿐만 아니라 CXL 풀드 메모리(Pooled Memory) 솔루션, PIM(Processing-In-Memory) 등 혁신적인 메모리를 함께 준비하고 있다”고 설명했다. CXL 풀드 메모리 솔루션은 여러 개의 CXL 메모리를 묶어 풀(Pool)을 구성하고, 여러 호스트(CPU, GPU 등)가 용량을 나눠 쓰도록 해주는 기술이다. PIM은 메모리 반도체에 연산 기능을 더해 인공지능(AI)과 빅 데이터 처리 분야에서 데이터 이동 정체 문제를 풀어낼 수 있는 차세대 기술이다.
SK하이닉스가 오랜 기간 연구개발해온 독자 기술인 HBM 패키징 기술인 ‘MR-MUF’에 대한 강한 자신감도 드러냈다. 최우진 P&T담당 부사장은 “일각에서는 MR-MUF 기술이 높은 단수의 HBM 구현에 한계가 있다는 의견이 있지만 실제로는 그렇지 않으며 이미 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 기술로 HBM3 12단 제품을 양산하고 있다”고 설명했다.
그는 “SK하이닉스가 최근 도입한 어드밴스드 MR-MUF는 MR-MUF의 장점을 그대로 유지하는 가운데 신규 보호재를 적용해 방열 특성을 10% 더 개선했다”며 “결과적으로 어드밴스드 MR-MUF는 칩의 휨 현상 제어(Warpage control)에도 탁월한 고온·저압 방식으로 고단 적층에 가장 적합한 솔루션이며, 16단 구현까지 순조롭게 기술 개발 중”이라고 설명했다. 이어 “회사는 HBM4에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 16단 제품을 구현할 예정이며, 하이브리드 본딩(Hybrid bonding) 기술 역시 선제적으로 검토하고 있다”고 덧붙였다.
한편 앞서 SK하이닉스가 충북 청주시에 건설할 신규 팹(생산공장) ‘M15X’를 국내 D램 생산기지로 결정하고 향후 20조원 상당을 투입하기로 했다. 고대역폭메모리(HBM) 등 차세대 D램 생산능력 확장을 위한 것으로, 급증하는 인공지능(AI) 반도체 수요에 선제 대응하겠다는 방침이다.
올해 HBM 최대 격전지 HBM3E 12단 제품 조기 양산
“어드밴스드 MR-MUF 기술로 HBM 16단 제품까지 개발”
곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장. /연합뉴스
곽노정 SK하이닉스 사장이 오는 3분기부터 5세대 (고대역폭메모리HBM) 12단 제품을 양산한다는 계획을 밝히며 인공지능(AI) 메모리 시장에서 리더십 수성에 나섰다. 지난달 30일 삼성전자가 해당 제품으로 SK하이닉스를 따라잡겠다는 포부를 밝힌 지 이틀 만에 응수하며 시장 패권을 놓치지 않겠다는 의지를 드러냈다.
SK하이닉스는 2일 경기도 이천 본사에서 ‘AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 한 내외신 기자간담회를 열고, AI 메모리 기술력 및 시장 현황, 청주·용인·미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 밝혔다. 현재 SK하이닉스는 AI 인프라 구축에 핵심적인 HBM 시장에서 세계 1위 점유율을 차지하고 있다.
곽 사장은 “현재 AI는 데이터센터 중심이지만, 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 온디바이스(On-Device AI)로 빠르게 확산될 전망”이라며 “이에 따라 AI에 특화된 ‘초고속, 고용량, 저전력’ 메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것”이라고 설명했다. 이어 “SK하이닉스는 HBM, TSV 기반 고용량 D램, 고성능 eSSD 등 각 제품별 업계 최고의 기술 리더십을 확보했다”고 강조했다.
특히 올해 HBM 시장 최대 격전지로 꼽히는 5세대 HBM(HBM3E) 12단 제품을 오는 3분기 양산한다는 계획을 전했다. 그는 “HBM 기술 측면에서 보면, 당사는 시장 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고, 3분기 양산 가능하도록 준비 중”이라며 “현재 당사 HBM은 생산 측면에서 보면 올해 이미 솔드아웃(Sold-out, 완판)인데, 내년 역시 거의 솔드아웃됐다”고 강조했다.
김주선 SK하이닉스 AI인프라 담당 사장은 AI 반도체 광풍과 함께 산업 구조에 급격한 패러다임 전환이 이뤄지고 있다며 HBM뿐만 아니라 고용량 D램을 비롯한 차세대 제품 개발 현황을 전했다. 그는 “D램에서는 HBM3E와 256GB 이상의 초고용량 모듈을 양산하고 있으며, 세계 최고 속도의 LPDDR5T도 상용화했다”며 “낸드에서도 업계 유일의 60TB 이상 쿼드레벨셀(QLC) 기반 SSD를 공급하는 등 세계 최고의 AI 메모리 공급사의 지위를 유지하고 있다”고 강조했다.
김 사장은 “HBM4와 4E, LPDDR6, 300TB SSD뿐만 아니라 CXL 풀드 메모리(Pooled Memory) 솔루션, PIM(Processing-In-Memory) 등 혁신적인 메모리를 함께 준비하고 있다”고 설명했다. CXL 풀드 메모리 솔루션은 여러 개의 CXL 메모리를 묶어 풀(Pool)을 구성하고, 여러 호스트(CPU, GPU 등)가 용량을 나눠 쓰도록 해주는 기술이다. PIM은 메모리 반도체에 연산 기능을 더해 인공지능(AI)과 빅 데이터 처리 분야에서 데이터 이동 정체 문제를 풀어낼 수 있는 차세대 기술이다.
SK하이닉스가 오랜 기간 연구개발해온 독자 기술인 HBM 패키징 기술인 ‘MR-MUF’에 대한 강한 자신감도 드러냈다. 최우진 P&T담당 부사장은 “일각에서는 MR-MUF 기술이 높은 단수의 HBM 구현에 한계가 있다는 의견이 있지만 실제로는 그렇지 않으며 이미 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 기술로 HBM3 12단 제품을 양산하고 있다”고 설명했다.
그는 “SK하이닉스가 최근 도입한 어드밴스드 MR-MUF는 MR-MUF의 장점을 그대로 유지하는 가운데 신규 보호재를 적용해 방열 특성을 10% 더 개선했다”며 “결과적으로 어드밴스드 MR-MUF는 칩의 휨 현상 제어(Warpage control)에도 탁월한 고온·저압 방식으로 고단 적층에 가장 적합한 솔루션이며, 16단 구현까지 순조롭게 기술 개발 중”이라고 설명했다. 이어 “회사는 HBM4에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 16단 제품을 구현할 예정이며, 하이브리드 본딩(Hybrid bonding) 기술 역시 선제적으로 검토하고 있다”고 덧붙였다.
한편 앞서 SK하이닉스가 충북 청주시에 건설할 신규 팹(생산공장) ‘M15X’를 국내 D램 생산기지로 결정하고 향후 20조원 상당을 투입하기로 했다. 고대역폭메모리(HBM) 등 차세대 D램 생산능력 확장을 위한 것으로, 급증하는 인공지능(AI) 반도체 수요에 선제 대응하겠다는 방침이다.