연합뉴스

삼성전자가 미국 정부에서 받을 반도체 보조금이 최대 64억달러(약 8조9천억원)로 확정됐다. 세계 1위 파운드리 업체인 대만 티에스엠시(TSMC)가 받는 금액과 엇비슷한 규모다. 삼성전자는 보조금을 받는 대신 미국에 400억달러 이상을 투자하고 2026년부터 현지에서 최첨단 공정을 가동할 계획이다.

미국 상무부는 삼성전자에 최대 64억달러의 현금 보조금을 지원한다는 내용의 구속력 없는 각서를 체결했다고 15일(현지시각) 밝혔다. 상무부는 앞서 ‘반도체 지원법’(CHIPS Act)에 따라 미국 인텔에 최대 85억달러, 대만 티에스엠시에 최대 66억달러의 현금 보조금을 지원하기로 한 바 있다. 미국 내에서 생산되는 반도체 비중을 늘리기 위한 전략이다.

삼성전자는 보조금을 받는 대신 미국 현지 투자 규모를 배 이상 늘릴 계획이다. 미 상무부는 삼성전자가 향후 수년간 400억달러 이상을 미국에 투자하고, 이를 통해 2만개 이상의 일자리를 창출할 전망이라고 설명했다. 삼성전자가 2021년 미 텍사스주 테일러를 신규 파운드리 부지로 확정하며 발표했던 투자 규모(170억달러)의 배가 넘는다.

이번 대규모 투자로 삼성전자의 텍사스주 생산기지는 크게 확충될 전망이다. 삼성전자는 테일러에 시스템반도체 제조 시설(팹) 2개와 연구개발(R&D) 팹, 첨단 패키징 시설을 새로 짓고 기존의 오스틴 공장도 확장하기로 했다. 아울러 신설되는 테일러 팹에서는 2026년부터 2나노미터(㎚) 공정을 가동하기로 했다. 초미세 최첨단 공정으로 만드는 2나노미터 반도체는 티에스엠시와 삼성전자 모두 내년에 양산을 시작하는 것을 목표로 삼고 있다.

한겨레

이재연 기자 [email protected]