中 상하이 반도체 R&D 센터서 노광장비 개발 목표
화웨이·中 장비기업, 첨단 반도체 장비 개발 협업
현재 中 노광 기술 90㎚에 불과… “글로벌 부품망 확보 필수”
중국 정부의 전폭적인 지원을 받으며 반도체 생태계를 구축하고 있는 화웨이가 대규모 반도체 장비 연구개발(R&D) 센터를 짓고 있다. 이곳에서 화웨이는 최첨단 반도체 생산에 필수적인 리소그래피(lithography·노광) 장비 개발을 목표로 하고 있다. 미국의 제재가 심화하면서 네덜란드 장비업체 ASML이 독점 공급하는 EUV(극자외선) 노광기를 비롯한 미세공정 장비 확보가 어려워지자 자체 개발을 통해 돌파구를 찾겠다는 포석이다.
12일 닛케이아시아에 따르면, 화웨이는 중국 상하이 서부 칭푸지구에 반도체 장비 R&D 센터를 건설 중이다. 상하이시가 첨단 기술 캠퍼스로 키우고 있는 이곳은 화웨이의 반도체 설계 자회사인 하이실리콘 본사를 비롯해 주요 반도체 개발 센터가 들어서 있다. 상하이 칭푸구 인민정부는 이 캠퍼스 조성에 120억위안(약 2조2600억원)을 투입할 계획이다. 화웨이도 자체적으로 R&D 지출을 늘리고 있다. 지난해 화웨이는 역대 최고 수준인 전체 매출의 23.4%(약 1647억위안·약 31조원)를 R&D에 지출했다.
반도체 장비 센터 건립과 함께 화웨이는 글로벌 반도체 업계 경력이 있는 엔지니어 유치전에 나섰다. 전 세계 주요 장비업체 엔지니어들을 상대로 2배에 달하는 급여를 제시하고 있는 것으로 알려졌다. 화웨이는 이미 ASML, 어플라이드머티어리얼즈, 램리서치 등 글로벌 장비업체에서 일해본 경험이 있는 엔지니어를 다수 고용했고, TSMC와 인텔, 마이크론 등 반도체 제조업체에서 15년 이상 경력을 쌓은 엔지니어들도 채용할 예정이라고 닛케이는 전했다.
화웨이는 반도체 장비 R&D 센터에서 차세대 반도체 생산에 필요한 노광장비 개발에 역량을 집중할 전망이다. 현재 전 세계 노광기의 90%를 ASML이 공급 중인데, 미국은 ASML 장비에 대한 중국 수출 기준을 계속 강화하고 있다. 앞서 미국은 2019년부터 ASML의 EUV 노광장비의 중국 수출을 금지했고, 올 1월부터는 이보다 하위 성능인 DUV(심자외선) 장비도 수출을 통제하고 있다. 이에 중국은 수입 통제 조치가 강화되기 이전인 지난해 말 ASML의 DUV 장비를 사재기하는 동시에 반도체 장비 자립을 목표로 내걸었다.
중국은 자체 칩 생산을 위한 생태계를 빠르게 조성하면서 장비 분야에서도 일부 성과를 내고 있다. 화웨이는 지난달 첨단 식각과 노광공정을 결합한 기술을 특허로 내놨다. 트랜지스터 밀도와 반도체 성능을 높이기 위해 라인을 여러 개 그리는 기술로, ‘자가 정렬 4중 패턴화’(SAQP)라고 불린다. 이론적으로는, 이 기술을 사용하면 EUV 노광기 대신 DUV 장비만으로도 5㎚ 칩을 만들 수 있다. 중국 반도체 장비업체 나우라테크놀로지는 이 기술을 사용한 연구에 돌입했다.
다만 중국이 실제 첨단 노광장비를 생산할 수 있을지는 미지수다. 첨단 노광기 제조를 위해선 정교한 기술력은 물론 전 세계 첨단 부품 공급망이 필수적이다. 현재 강력한 제재를 받고 있는 중국이 이 공급망을 뚫는 건 사실상 불가능하다. 현재 중국 내 유일한 노광장비 개발업체인 국영 상하이마이크로일렉트로닉스의 기술력은 90㎚ 수준에 불과한 것으로 알려졌다. 반도체 장비업체 관계자는 “노광장비엔 미국의 광원 기술부터 독일의 광학 기술, 일본 부품 등 각국의 첨단 기술이 총집합돼 있다”며 “중국이 자체 공급망만 활용해선 시장에서 인정받는 품질의 노광기를 만들긴 쉽지 않을 것”이라고 말했다.
화웨이·中 장비기업, 첨단 반도체 장비 개발 협업
현재 中 노광 기술 90㎚에 불과… “글로벌 부품망 확보 필수”
상하이 칭푸지구에 들어서는 화웨이 연구개발 센터 조감도./칭푸구 위챗
중국 정부의 전폭적인 지원을 받으며 반도체 생태계를 구축하고 있는 화웨이가 대규모 반도체 장비 연구개발(R&D) 센터를 짓고 있다. 이곳에서 화웨이는 최첨단 반도체 생산에 필수적인 리소그래피(lithography·노광) 장비 개발을 목표로 하고 있다. 미국의 제재가 심화하면서 네덜란드 장비업체 ASML이 독점 공급하는 EUV(극자외선) 노광기를 비롯한 미세공정 장비 확보가 어려워지자 자체 개발을 통해 돌파구를 찾겠다는 포석이다.
12일 닛케이아시아에 따르면, 화웨이는 중국 상하이 서부 칭푸지구에 반도체 장비 R&D 센터를 건설 중이다. 상하이시가 첨단 기술 캠퍼스로 키우고 있는 이곳은 화웨이의 반도체 설계 자회사인 하이실리콘 본사를 비롯해 주요 반도체 개발 센터가 들어서 있다. 상하이 칭푸구 인민정부는 이 캠퍼스 조성에 120억위안(약 2조2600억원)을 투입할 계획이다. 화웨이도 자체적으로 R&D 지출을 늘리고 있다. 지난해 화웨이는 역대 최고 수준인 전체 매출의 23.4%(약 1647억위안·약 31조원)를 R&D에 지출했다.
반도체 장비 센터 건립과 함께 화웨이는 글로벌 반도체 업계 경력이 있는 엔지니어 유치전에 나섰다. 전 세계 주요 장비업체 엔지니어들을 상대로 2배에 달하는 급여를 제시하고 있는 것으로 알려졌다. 화웨이는 이미 ASML, 어플라이드머티어리얼즈, 램리서치 등 글로벌 장비업체에서 일해본 경험이 있는 엔지니어를 다수 고용했고, TSMC와 인텔, 마이크론 등 반도체 제조업체에서 15년 이상 경력을 쌓은 엔지니어들도 채용할 예정이라고 닛케이는 전했다.
화웨이는 반도체 장비 R&D 센터에서 차세대 반도체 생산에 필요한 노광장비 개발에 역량을 집중할 전망이다. 현재 전 세계 노광기의 90%를 ASML이 공급 중인데, 미국은 ASML 장비에 대한 중국 수출 기준을 계속 강화하고 있다. 앞서 미국은 2019년부터 ASML의 EUV 노광장비의 중국 수출을 금지했고, 올 1월부터는 이보다 하위 성능인 DUV(심자외선) 장비도 수출을 통제하고 있다. 이에 중국은 수입 통제 조치가 강화되기 이전인 지난해 말 ASML의 DUV 장비를 사재기하는 동시에 반도체 장비 자립을 목표로 내걸었다.
중국은 자체 칩 생산을 위한 생태계를 빠르게 조성하면서 장비 분야에서도 일부 성과를 내고 있다. 화웨이는 지난달 첨단 식각과 노광공정을 결합한 기술을 특허로 내놨다. 트랜지스터 밀도와 반도체 성능을 높이기 위해 라인을 여러 개 그리는 기술로, ‘자가 정렬 4중 패턴화’(SAQP)라고 불린다. 이론적으로는, 이 기술을 사용하면 EUV 노광기 대신 DUV 장비만으로도 5㎚ 칩을 만들 수 있다. 중국 반도체 장비업체 나우라테크놀로지는 이 기술을 사용한 연구에 돌입했다.
다만 중국이 실제 첨단 노광장비를 생산할 수 있을지는 미지수다. 첨단 노광기 제조를 위해선 정교한 기술력은 물론 전 세계 첨단 부품 공급망이 필수적이다. 현재 강력한 제재를 받고 있는 중국이 이 공급망을 뚫는 건 사실상 불가능하다. 현재 중국 내 유일한 노광장비 개발업체인 국영 상하이마이크로일렉트로닉스의 기술력은 90㎚ 수준에 불과한 것으로 알려졌다. 반도체 장비업체 관계자는 “노광장비엔 미국의 광원 기술부터 독일의 광학 기술, 일본 부품 등 각국의 첨단 기술이 총집합돼 있다”며 “중국이 자체 공급망만 활용해선 시장에서 인정받는 품질의 노광기를 만들긴 쉽지 않을 것”이라고 말했다.