[반도체 학회 Memcon 2024]
기존 2.5배→최대 2.9배로 높여
엔비디아 '승인' 전망 반영된듯
HBM4 코드명 '스노우볼트' 공개
[서울경제] 기존 2.5배→최대 2.9배로 높여
엔비디아 '승인' 전망 반영된듯
HBM4 코드명 '스노우볼트' 공개
삼성전자(005930)가 올해 고대역폭메모리(HBM) 출하량이 지난해보다 최대 2.9배로 늘릴 수 있음을 내비쳤다. 당초 올해 HBM출하량을 전년 대비 2.5배 정도 계획하고 있음을 밝힌 적 있는데, 고객사 수요에 맞춰 더 확대할 수 있다는 것이다. 엔비디아의 HBM 검정 통과를 앞둔 삼성전자가 기존 생산 목표를 공격적으로 수정한 게 아니냐는 분석도 있다. 업계에서는 삼성전자가 8단의 HBM은 물론 12단 HBM까지 비슷한 시기에 납품할 것이라는 전망도 내놓고 있다.
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황상준 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장(부사장)이 26일(현지 시간) 미 캘리포니아 마운틴뷰에서 열린 국제 반도체 컨퍼런스 ‘멤콘(Memcon) 2024’에서 HBM 개발 계획을 발표하고 있다. 실리콘밸리=윤민혁 기자
26일(현지 시간) 삼성전자는 미 캘리포니아에서 열린 국제 반도체 컨퍼런스 ‘멤콘(Memcon) 2024’에서 올해 비트(bit) 기준 HBM의 출하 목표치를 전년 대비 최대 2.9배로 제시했다. 올해 초 CES 2024 등에서 밝힌 2.5배를 넘어선다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장(부사장)은 “고객사 수요에 따라 유연하게 대응하겠다는 뜻”이라고 말했다. 납품량이 늘어난다면 추가적인 40% 증산 여력이 남아 있다는 것이다. 업계의 한 관계자는 “진행 중인 삼성전자의 HBM에 대한 엔비디아 검증이 순조롭다는 것을 의미한다"면서 “납품을 시작하면 HBM의 공급량을 곧바로 늘릴 수 있도록 충분한 준비가 끝났다는 것”이라고 해석했다. 출하량 전망치 상향은 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)의 “삼성전자 HBM을 검정 중”이라는 발언 직후 전해져 의미심장하다는 평가도 있다. 황 CEO는 삼성전자가 선보인 HBM3E 12단 제품에 ‘승인(Approved)’ 서명을 남겨 화제를 모으기도 했다.
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Memcon 2024에서 공개된 삼성전자의 향후 HBM 생산 계획표. 올해 비트 기준 출하량 목표가 전년비 2.9배로 상향됐음을 알 수 있다. 실리콘밸리=윤민혁 기자
삼성전자는 중장기 HBM의 출하·개발 로드맵도 소개했다. 지난해를 기준점으로 2026년에는 13.8배, 2028년에는 23.1배의 HBM을 출하할 계획이다. 황 부사장은 “지난해 메모리 가격 하락에도 대형 설비투자를 집행해 내년부터 생산능력에서 리더십이 크게 강화 될 전망”이라고 강조했다.
HBM3E를 이을 차세대 HBM에 대한 정보도 대거 공개됐다. 차세대 삼성전자 HBM4 코드명은 ‘스노우볼트’로 정해졌다. 삼성전자는 지난해 ‘샤인볼트’, ‘스노우볼트’, ‘플레임볼트’ 등 상표권을 출원한 바 있으나 HBM3E에 쓰인 샤인볼트 외에는 어느 제품에 어떤 이름이 쓰일 지에 대해서 말을 아껴왔다. 2026년 말 등장을 목표로 현재 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 정식 규격 제정을 앞두고 있는 HBM4 규격이 완성 단계라는 소식도 전해졌다. 황 부사장은 “규격 초안(드래프트)은 사실상 완성됐고 현재 메모리 3사 모두 설계와 테스트 작업에 착수한 것으로 안다”며 “HBM4부터는 완전한 ‘맞춤형’으로 설계되는 만큼 고객사들과 최종 규격을 협의 중”이라고 말했다.
HBM4 대역폭이 기존 전망보다 더 높을 수 있다는 단서도 제시됐다. 현재까지 알려진 HBM4는 데이터입출구(I/O)가 2048비트로 HBM3·HBM3E 대비 2배 늘어나지만 한 출구 당 최대 속도는 8Gbps(초당기가비트)로 기존과 같다. 그러나 황 부사장은 “고객사 요청이 있을 경우 출구 당 최대 속도를 10Gbps까지 높일 수도 있다”고 밝혔다. 삼성전자 HBM4가 현재 예상되는 표준보다 25% 더 넓은 대역폭을 지닐 수도 있는 셈이다.
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삼성전자가 개발 중인 HBM4 코드명은 '스노우볼트'로 최종 확정됐다. 실리콘밸리=윤민혁 기자
삼성전자는 최근 공개한 HBM3E 12단과 2026년 출시할 HBM4로 그간 한 발 뒤쳐졌다는 평가를 받고 있는 HBM 시장에서 반전도 노린다. 고적층에 유리한 비전도성필름(NCF) 기술을 고도화해 12단부터 최대 16단까지 적층이 기본화할 것으로 예상되는 HBM4에서는 ‘초격차’를 재현할 계획이다. 황 부사장은 “현재도 HBM 시장에서 삼성전자 점유율은 50%”라며 “메모리·파운드리·설계·패키징 역량을 모두 지닌 삼성전자가 맞춤형 HBM 시장의 ‘원스톱 솔루션’을 제공하겠다”고 강조했다.